最近の報告[1]では (Ga,Mn)Asで転移温度 60Kの強磁性が観測された (FIG.1)。
また Mn 濃度が 5×10^20cm-3 付近で金属−絶縁体転移が起こり，金属−絶縁体近傍の試料で巨大な負の磁気抵抗が観測されている [2]。
FIG. 1 (Ga,Mn)As/GaAs(Mn濃度3.5%)の磁化曲線(5K) |
FIG. 2 (Ga,Mn)As/GaAs(Mn濃度7.1%)の磁気抵抗 |
| 分子線エピタキシー法により III-V 族半導体に
Mnを高濃度ドープした (In,Mn)As
あるいは (Ga,Mn)Asの作成が可能になっており，これらの試料の電気伝導（磁気抵抗・ホール抵抗）や磁化を中心に
測定・解析を行っている。
最近の報告[1]では (Ga,Mn)Asで転移温度 60Kの強磁性が観測された (FIG.1)。 また Mn 濃度が 5×10^20cm-3 付近で金属−絶縁体転移が起こり，金属−絶縁体近傍の試料で巨大な負の磁気抵抗が観測されている [2]。 |
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[1]H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, (1996) 363.
[2]A. Oiwa, S. Katsumoto, A. Endo, M. Hirasawa, Y. Iye, H. Ohno, F. Matsukura, A. Shen and Y. Sugawara, Solid State Communications (投稿中).